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繼電器做開關和MOSFET做開關,兩者有什么區(qū)別呢?
1、阻抗不同,為了實施開關動作,其耗電量不同。
(1)MOSFET為電壓控制的(voltage-controlled)組件,也就是為了能在漏極端有電流產(chǎn)生,必須在閘極與源極之間,提供額定的電壓值,由于MOSFET的閘極端與源極端之間會被氧化硅層(silicon oxide layer)作電氣上的隔離,因此,僅有微量的漏電流會由所供應的電壓源進入閘極。所以MOSFET具有極高的增益與極高的阻抗。 (2)繼電器是通過線圈控制的,必須施加電流,其阻抗低,為了開關耗費的電量相對大一些。
2、關斷原理不同 (1)要將MOSFET關閉(OFF)時,只要將閘極至源極電壓移去,即可將MOSFET達至OFF狀態(tài)。在移去閘極電壓時電晶體會關閉,此時漏極與源極之間會呈現(xiàn)非常高的阻抗,因而除了漏電流(幾微安培),可抑制其它的電流產(chǎn)生。 (2)繼電器是通過改變繼電器線圈的電流,實現(xiàn)觸點分離,理論上可以說,斷開后沒有漏電流。 3、要想實現(xiàn)常開(常閉)開關,繼電器很好實現(xiàn),而MOSFET需要合理設計電路才行。