射頻開(kāi)關(guān)
文章來(lái)源: 東莞市潺林電子有限公司人氣:2095發(fā)表時(shí)間:2017-06-21 16:58:57【小中大】
射頻開(kāi)關(guān)包括一個(gè)開(kāi)關(guān)主電路和開(kāi)關(guān)次電路,該開(kāi)關(guān)主電路的一端為射頻信號(hào)輸入端,另外一端為射頻信號(hào)輸出端,該射頻信號(hào)輸出端與負(fù)載連接;該開(kāi)關(guān)主電路包括多個(gè)串聯(lián)連接的MOSFET;該開(kāi)關(guān)次電路的一端連接于開(kāi)關(guān)主電路的射頻信號(hào)輸出端,另一端接地;該開(kāi)關(guān)次電路包括多個(gè)串聯(lián)連接的MOSFET;其中,開(kāi)關(guān)次電路中鄰近開(kāi)關(guān)主電路射頻信號(hào)輸出端的MOSFET溝道尺寸的寬度與長(zhǎng)度的比值(W/L)比遠(yuǎn)離開(kāi)關(guān)主電路射頻信號(hào)輸出端的MOSFET的溝道尺寸的寬度與長(zhǎng)度的比值(W/L)大。本申請(qǐng)采用較少數(shù)量的串聯(lián)MOSFET能實(shí)現(xiàn)更高的線性度,防止開(kāi)關(guān)分次電路中MOSFET在大電壓擺幅下被擊穿,從而實(shí)現(xiàn)更有性價(jià)比的射頻開(kāi)關(guān)芯片。