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OMRON繼電器MOS FET全稱(chēng)Metal-Oxide Field-Effect Transistor,其中M: Metal---金屬,O: Oxide---氧化物,S: Semiconductor---半導(dǎo)體,F(xiàn): Field---場(chǎng),E: Effect---效應(yīng),T: Transistor---晶體管,代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它的內(nèi)部由3個(gè)芯片構(gòu)成,LED芯片+PDA芯片(光電二極管陣列)+MOS FET芯片共同組成,工作原理是通過(guò)LED發(fā)光--PDA發(fā)電--MOSFET開(kāi)關(guān),這三個(gè)過(guò)程相結(jié)合實(shí)現(xiàn)繼電器 的功能。
下面介紹下歐姆龍MOSFET繼電器的特點(diǎn):
1. 繼電器雖小仍可實(shí)現(xiàn)獨(dú)特的焊接性。
2. 超小型、輕量:除了SSOP、USOP之外,超小型封裝VSON、S-VSON全新登場(chǎng),為設(shè)備的小型化做出貢獻(xiàn)。
3. 低驅(qū)動(dòng)電流:在推薦運(yùn)行條件(標(biāo)準(zhǔn))下的驅(qū)動(dòng)電流為2-15mA左右。還有最小可用0.2mA驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品,為整體設(shè)備的節(jié)能化做出貢獻(xiàn)。
4. 長(zhǎng)壽命:采用光信號(hào)傳輸方式,實(shí)現(xiàn)無(wú)接點(diǎn)構(gòu)造。不會(huì)因接點(diǎn)磨損而縮短使用壽命,實(shí)現(xiàn)了長(zhǎng)使用壽命。
5. 漏電流微弱:對(duì)外部浪涌有很高的耐心,而且還沒(méi)有緩沖電路,因此正常運(yùn)行時(shí)電流小于1nA,關(guān)閉時(shí)的漏電流也極其微弱。
6. 耐沖擊性出色:內(nèi)部部件完全為沖壓制品,而且沒(méi)有可動(dòng)部等機(jī)構(gòu)部件,具有出色的耐沖擊性、耐震動(dòng)性。
7. 高絕緣性:將電壓轉(zhuǎn)換成光、以信號(hào)形式進(jìn)行傳送,確保輸入輸出間耐電壓AC2500V。更高級(jí)的AC5000V也已實(shí)現(xiàn)系列化。
8. 靜音:不會(huì)像機(jī)械繼電器那樣在開(kāi)閉金屬接點(diǎn)時(shí)會(huì)發(fā)出聲音,為設(shè)備的靜音化做出貢獻(xiàn)。
9. 高速響應(yīng)性:運(yùn)行時(shí)間僅0.2ms(SSOP\USOP、VSON),相比機(jī)械繼電器的3ms-5m,速度明顯提升。實(shí)現(xiàn)了高速響應(yīng)性。
10. 可準(zhǔn)確控制微小模擬信號(hào):與機(jī)械繼電器同等的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品,與雙向可控硅開(kāi)關(guān)元件相比,不靈敏帶極小。微弱模擬信號(hào)的輸入波形可基本無(wú)任何失真地轉(zhuǎn)換為輸出波形。