MOSFET：全稱Metal-Oxide Field-Effect Transistor金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，先解釋一下MOSFET的各個(gè)字母的意義：M: Metal 金屬；O: Oxide 氧化物；S: Semiconductor 半導(dǎo)體；F: Field 場(chǎng)；E: Effect 效應(yīng)；T: Transistor 晶體管

它是LED+MOSFET芯片=繼電器功能，實(shí)現(xiàn)繼電器功能的。

光耦MOSFET是一種全固態(tài)繼電器，由輸入側(cè)的發(fā)光二極管（LED）和觸點(diǎn)的MOSFET組成。因此，通常將其稱為SSR（固態(tài)繼電器）。與傳統(tǒng)的機(jī)械繼電器相比，光耦合MOSFET不僅體積更小，重量更輕，而且更易于驅(qū)動(dòng)和實(shí)現(xiàn)更高的速度。而且它也幾乎不會(huì)產(chǎn)生噪音。這些功能使其成為理想的繼電器。結(jié)構(gòu)和特征描述如下。

如圖所示，光耦合MOSFET由輸入側(cè)的發(fā)光二極管（LED），面向LED的光電二極管（PVD）和用作觸點(diǎn)的MOSFET組成。如圖所示，光耦合MOSFET由輸入側(cè)的發(fā)光二極管（LED），面向LED的光電二極管（PVD）和用作觸點(diǎn)的MOSFET組成。

當(dāng)正向電流流過(guò)時(shí)，輸入發(fā)光二極管（LED）發(fā)出紅外光。當(dāng)此光照射在光電二極管（PVD）上時(shí)，PVD中會(huì)產(chǎn)生電壓。

當(dāng)此電壓施加到MOSFET的柵極時(shí)，MOSFET會(huì)打開(kāi)和關(guān)閉漏極電流。

有兩個(gè)MOSFET反向串聯(lián)連接，因此它們也可以切換交流電。

此外，由于存在兩種類型的MOSFET，即常關(guān)型（增強(qiáng)型）和常導(dǎo)通型（耗盡型），因此可以通過(guò)使用將其設(shè)為正門極電壓，并通過(guò)提供負(fù)門極電壓的連接使其成為B觸點(diǎn)（斷路觸點(diǎn)）型繼電器。

此外，我們的光耦合MOSFET內(nèi)部具有原始的驅(qū)動(dòng)控制器。當(dāng)LED停止發(fā)光時(shí)，控制器會(huì)加速M(fèi)OSFET柵極的放電。

從而實(shí)現(xiàn)平滑的高速切換操作。

由于這種結(jié)構(gòu)，輸入和輸出完全電絕緣，而輸出側(cè)觸點(diǎn)在正向和反向都實(shí)現(xiàn)了具有良好線性度和高截止特性的導(dǎo)電性。

此外，如下圖所示，在我們的光耦合MOSFET中，輸入LED和輸出側(cè)的PVD用具有高透明度的高度絕緣樹(shù)脂彼此絕緣，并且外部還被黑色覆蓋。深色的深色樹(shù)脂。

機(jī)械繼電器中不存在的超小型產(chǎn)品，例如小外形封裝（SOP）和超小型扁平引線型光耦合MOSFET，正在陸續(xù)開(kāi)發(fā)中，非常適合需要高端產(chǎn)品的設(shè)備?？煞胖迷隗w積小，重量輕的筆記本電腦，移動(dòng)信息終端和各種適配器卡等需要高密度安裝的半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備上。